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东莞市汇成真空科技有限公司
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LED外延片衬底镀膜新突破

       LED外延片在各电子行业中作为一项高端技术产品重要组成部分之一,衬底镀膜一直备受关注,由图1中,我们可以看出外延片在LED整个行业中的附加值是非常高的,而且技术都集中在日美这些发达国家中,可见其技术含量是非常高的,面对市场的需求,东莞市汇成真空科技有限公司研发部门在LED外延片衬底镀膜中引进PVD技术获得重大的突破。

LED外延片


LED外延片工艺流程如下:
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测(光荧光、X射线) - 外延片
外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片 - 芯片分检、分级

LED芯片


       目前市场上大部分厂家对LED外延片镀膜环节中主要使用的还是CVD技术(化学气相沉积技术)制作氮化铝薄膜(ALN),由CVD生成的ALN薄膜均匀性不稳定,容易受影响在表面形成很多的黑点,CVD技术镀氮化铝需要在将近1000℃的高温条件下工作,因为氮化铝薄膜在500℃以下是不能合成的,一般在缓冲层的温度就达到600~870℃,工作5分钟左右,在高温层的温度达到1000℃,工作60分钟,生成LED外延片衬底的ALN薄膜,工作时间是非常长的,另外通过CVD生成ALN薄膜所使用的衬底材料具有很大的局限性。
       为了解决这一系列在LED外延片衬底镀膜中由CVD技术产生的缺点,东莞市汇成真空科技有限公司研发出用PVD技术(物理气相沉积技术)代替CVD技术,放宽了衬底材料的选择空间,大大提高了薄膜的均匀性,缩短ALN薄膜生成时间,由原来的1~2小时一炉变成几十分钟一炉,大大提高薄膜生成的产量。
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LED外延片氮化铝薄膜


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